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北京捷拓紫荊科技有限公司
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2005-11-01
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晶閘管
HITACHI日立IGBT模塊
GTR(達(dá)林頓)及場效應(yīng)模塊系列Darlington (GRT) and field effect module series
場效應(yīng)模塊MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西門子、西門康)
摩托羅拉GTR模塊 MOTOROLA GTR module
西門康GTR模塊 XiMenKang GTR module
東芝GTR(達(dá)林頓)模塊 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(達(dá)林頓)模塊 SanRex GTR (darlington) module
日本三墾GTR(達(dá)林頓)模塊 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(達(dá)林頓)模塊 Fuji GTR (darlington) module
PRX廠家GTR(達(dá)林頓)模塊 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(達(dá)林頓)模塊 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模塊系列 Series of IGBT module
英飛凌IGBT功率模塊Infineon IGBT power module
優(yōu)派克IGBT功率模塊EUPECIGBT power module
西門子IGBT功率模塊Siemens IGBT power module
ABB廠家IGBT功率模塊
西門康IGBT模塊 XiMenKang IGBT module
日本三墾IGBT模塊 Sanken IGBT module
東芝IGBT高速型、東芝IGBT低導(dǎo)通壓降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模塊\大功率IGBT模塊 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社廠家IGBT模塊 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模塊+單管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
東芝IPM功率模塊Toshiba power module IPM
富士IPM功率模塊Fuji IPM power module
三菱IPM功率模塊
三菱智能IGBT功率模塊Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流橋系列 Series rectifier bridge
富士整流橋模塊
普通整流二極管及快恢復(fù)二極管模塊系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二極管
三菱整流二極管
可控硅模塊系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模塊IXYS thyristor modules
東芝可控硅模塊Toshiba thyristor modules
富士廠家可控硅Fuji factory SCR
優(yōu)派克可控硅模塊Optimal parker thyristor modules
西門康可控硅模塊XiMenKang thyristor modules
IR廠家可控硅模塊IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社廠家可控硅模塊SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM廠家可控硅模塊POWERSEM thyristor module manufacturer
日本國際電子公司可控硅模塊The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模塊Mitsubishi thyristor modules
電子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各進(jìn)口品牌驅(qū)動電路、三菱智能模塊IPM配套專用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
電源模塊系列 Power supply module series
進(jìn)口電流電壓傳感器 To import the current voltage sensor
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晶閘管和整流二極管的設(shè)計(jì)選擇
選擇晶閘管,功率二極管和模塊的一般準(zhǔn)則。當(dāng)它們在50/60 赫茲
的頻率工作時(shí),它們的開關(guān)損耗可以被忽略。對于特定的要求選擇一個(gè)功率元件需要
考慮下列方面
- 電壓負(fù)載能力,
- 在實(shí)現(xiàn)的冷卻條件下,電流負(fù)載能力
- 工作的環(huán)境
這些問題在穩(wěn)定和瞬間狀態(tài)(瞬間過載)上可能的變化。
在任何情況下,不論是靜態(tài)或者動態(tài)的情況下,都不得超過數(shù)據(jù)文件中所給出的極限值,例如,截止電壓,峰值電流和結(jié)層溫度的上限等。同樣不得超過模塊外殼和使用安裝的極限值,例如抗振動和抗沖擊性,適應(yīng)的環(huán)境性,隔離絕緣性等。**的例外是雪崩二極管,因?yàn)榉聪蚪刂闺妷簩?dǎo)致它在雪崩效應(yīng)下產(chǎn)生的*大功率損耗PRSM,結(jié)層溫度形成了電流負(fù)載。為了提高可靠性和壽命,模塊的選用應(yīng)留有一定的余量,因
為必須要考慮負(fù)載的變化,特別是溫度發(fā)生變化時(shí)(第2.7 章節(jié))帶來的影響。還要進(jìn)一步考慮到有一些一般理論解釋不清的,半導(dǎo)體發(fā)熱到極限值Tj(max)時(shí)的熱負(fù)載問題,以便保證模塊**可靠的工作。
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