（一）中國家電企業的發展的需要
國內企業在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環節的技術和積累都比較少，短期內趕上國際水平不太現實，所以，提升進口替代產品的能力就成了國內企業**方向，以價格優勢和本土優勢搶占市場份額，據了解，IGBT國產化器件相比國外企業成本節約15~20%，即使售價減少40%，國內企業依然擁有30%以上的毛利率。另外，國外企業產品定位大部分是工業應用領域大功率IGBT，而我國是世界上*主要的家電生產和消費國，加上小功率IGBT生產門檻較大功率低，所以，國內企業進入IGBT行業家電領域是*適合的切入點。
IGBT國產化對中國家電企業的推動作用
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（二）中國智能電網領域將在技術與市場兩個層面推動本土企業實現 IGBT 國產化。
從兩個層面來看待本土 IGBT 市場需求高速增長對中國企業實現IGBT 國產化的重要作用。
1、本土 IGBT 市場需求的高增長性與高容量性顯然為本土企業實現IGBT 國產化提供良好的市場基礎，這符合成本優勢、制造鏈等本土化優勢。
2、IGBT 國產化需求來自于需求方的內在動力，是自發的，迫切的與**的。這種源動力來自于中國智能電網、高鐵建設的國際競爭力的完善，家電節能市場的本土企業推動。
構成本土 IGBT 市場需求主體主要為智能電網、高鐵建設、電機節能與家電節能這四大領域。中國在智能電網與高鐵建設領域擁有國際**技術，這些領域對 IGBT國產化需求迫切，而這種國產化突破更包含了 IGBT 技術的突破（該領域 IGBT 技術壁壘*高）。家電節能以空調、冰箱與洗衣機為主，這些領域中國家電企業已經具備一定的國際競爭力，更為 IGBT 國產化掃清了認知障礙。因此，龐大的市場基礎與需求方對 IGBT 技術國產化的迫切需求共同推動中國本土企業的技術**，加速我國 IGBT 國產化進程：
我們接下來具體論述智能電網、高鐵建設與家電節能領域對中國 IGBT 產業實現國產化的作用。
1、 智能電網建設帶來市場與技術的突破。
IGBT 在智能電網的相關設備中起到至關重要的作用。顯而易見，在智能電網建設的過程中，IGBT 成為整個領域*受益的產品。IGBT 是交流系統與直流系統的補償裝置中核心器件。而在整流，直流傳輸與換流器發揮著重要作用。
中國政府和兩大電網公司未來在智能電網方面的總投資將不低于 2000億，2015 年之前將完成主要框架建設。注意到智能電網所使用的 IGBT 屬于具有較強技術壁壘的產品，是IGBT 技術前沿，這個領域的技術突破勢必帶動中國 IGBT 技術的飛速發展。
智能電網投資結構預測（總投資將超過2000億）
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中國智能電網的建設已進入**階段的尾聲，在大力建設特高壓、數字化變電站的同時，智能調度將逐漸引入，用電信息采集和智能電表的需求也將有較快增長。
2009-2020年國家電網總投資3.45萬億元，其中智能化投資3841億元，占電網總投資的11.1%。**階段2009-2010年的電網總投資為5510億元，智能化投資為341億元，占電網總投資的6.2%；**階段電網總投資為15000億元，智能化投資為1750億元，占總投資的11.7%；第三階段電網總投資為14000億元，智能化投資為1750億元，占總投資的12.5%。
中國“智能電網”三階段發展規劃時間表
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**階段
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試點階段(2009～2010年)
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重點開展堅強智能電網發展規劃工作，制定技術標準和管理規范，開展關鍵技術研發和設備研制，開展各環節的試點工作。
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**階段
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**建設階段(2011～2015年)
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加快特高壓電網和城鄉配電網建設，初步形成智能電網運行控制和互動服務體系，關鍵技術和裝備實現重大突破和廣泛應用。
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第三階段
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**提升階段(2016～2020年)：
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基本建成堅強智能電網，使電網的資源配置能力、**水平、運行效率，以及電網與電源、用戶之間的互動性顯著提高。
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特高壓電網，指1000千伏的交流或±800千伏的直流電網。輸電電壓一般分高壓、超高壓和特高壓。國際上，高壓(HV)通常指35-220kV的電壓；超高壓(EHV)通常指330kV及以上、1000kV以下的電壓；特高壓(UHV)指1000kV及以上的電壓。高壓直流(HVDC)通常指的是1 600kV及以下的直流輸電電壓，±800 kV以上的電壓稱為特高壓直流輸電(UHVDC)。
而且，在2015年 “三華”特高壓電網形成“三縱三橫一環網”，屆時，錫盟、蒙西、張北、陜北能源基地通過3個縱向特高壓交流通道向“三華”送電，北部煤電、西南水電通過3個橫向特高壓交流通道向華北、華中和長三角特高壓環網送電。此外，“十二五”期間，配合西南水電、西北華北煤電和風電基地開發，將建設錦屏-江蘇、溪洛渡-浙江、哈密-河南等11回特高壓直流輸電工程。
2015年中國特高壓電網規劃圖
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（三）節能大環境是 IGBT 快速成長的溫室
功率器件市場的發展順應節能減排潮流節能、提高能效是未來全球經濟發展的主流趨勢。從封建社會的作坊式生產到近代的蒸氣**，再到現代的電力**與信息**，人類沉浸在生產效率急速提升帶來的享受，卻忽略了為此帶來的對地球負擔過重的影響，“可持續發展”也由此提出。
IGBT 在節能、提高能效方面發揮重要作用。 IGBT 器件（絕緣柵雙極型晶體管）是一種 MOSFET 與雙極晶體管復合的器件。它既有功率 MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大，損耗小的顯著優點。在節能市場領域獲得較為廣泛的應用。從消費電子，到工業控制都能見到 IGBT 身影。在眾多應用領域的帶動下，IGBT 已經成為功率器件家族中的新興力量。
IGBT在節能、提高能效方面的主要指標
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（四）中國 IGBT 產業已初具規模，技術突破也正在積極醞釀
目前中國 IGBT 行業中**技術已有突破，初步形成從芯片設計到芯片封裝的產業鏈，較強的成本優勢將是中國本土企業與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年 IGBT 市場的高速增長，國產化進程的啟動將會使產業鏈覆蓋的公司受惠。
中國IGBT產業企業分布
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IGBT 的國產化一方面可以加速中國功率器件的更新換代速度，另一方面由于國產化帶來上游器件成本的降低引起下游應用市場需求的增大，而下游需求的增長又逐級放大地向上反饋回產業鏈各級，上游的器件生產與下游的節能市場互相推動。
中國IGBT產業企業技術狀況
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公司
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業務類型
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進度
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科達半導體
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設計
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研發1200V 75A/100A 大功率IGBT 芯片、400V 專用IGBT 芯片；1200V 試流片。完成功率半導體芯片后道加工生產車間的建設。
具備1200V/600V 20A IGBT 小規模生產的技術條件。1200V 20A 電磁爐用IGBT 量產版流片6 月份開始。
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華微電子
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芯片制造
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IGBT已完成計算機仿真，進入單步工藝開發階段。
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中環股份
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芯片制造
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募集資金項目開始研發IGBT
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無錫鳳凰半導體
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芯片制造
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NPT 型IGBT 通過鑒定
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比亞迪
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芯片制造
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IGBT 芯片進入批量測試階段
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上海貝嶺
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芯片制造
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IGBT 進入工程流片
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南車時代電氣
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芯片制造、模塊
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收購加拿大Dynex75% 股權，Dynex 有IGBT 技術，應用于車輛牽引傳動領域，1200V、1700V、3300V、4500V、6500V 模塊。公司投資近8000 萬元建成了IGBT 模塊封裝和測試生產線，形成年產6 萬只模塊的生產能力。
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西安愛帕克
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模塊
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IGBT 半橋、**開關盒低端開關型模塊
600V 75~400A，1200V 50~300A
IGBT 單開關型模塊
600V 400~800A，1200V 200~400A
IGBT H 橋型模塊
600V 75~400A，1200V 50~200A
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威海星佳電子
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模塊
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1200V 50~300A 模塊
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南京銀茂微電子
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模塊
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600V/1200V 半橋、斬波、H 橋、三相全橋、全橋+斬波、PIM、IPM、一單元模塊
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嘉興斯達半導體
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模塊
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600V 單開關模塊、半橋模塊、三相橋模塊、PIM 模塊
1200V 單開關模塊、半橋模塊、全橋模塊、三相橋模塊、三組單相橋、PIM 模塊、斬波器模塊
1700V 單開關模塊、半橋模塊、三相橋模
塊、三組單相橋、斬波器模塊
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江蘇宏微科技
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模塊
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600V 75~200A 模塊1200V 50~300A 模塊
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中國IGBT產業技術帶來的高附加值
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