在一個igbt功率模塊里，數個功率半導體芯片（MOSFET或IGBT芯片以及二極管芯片）被集成到一塊共同的底板上，且模塊的功率器件與其安裝表面（散熱板）相互絕緣。
這些芯片的底面被焊接于（或被粘貼于）一塊絕緣基片的金屬化表面上。該絕緣基片的作用是在保證良好導熱性能的同時還提供了相對于模塊底板的電氣絕緣。芯片的上表面被金屬化，它的電氣連接可以采用細的鋁制鍵接線用鍵接的方式來實現。
此外，采用混合電路或單芯片的方式，無源元件如柵極電阻、電流傳感器或溫度傳感器（例如，具有正溫度系數的電阻）也可以被集成到模塊中。
igbt功率模塊，又稱為集成式模塊，通常是指小功率（15kW以下）變頻器機型中，其整流與逆變主電路，常采用模塊形式封裝的igbt功率模塊。
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