1. IGBT模塊的選定 ：
在使用IGBT模塊的場合，選擇何種電壓，電流規格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。
1. 1. 電壓規格:
IGBT模塊的電壓與所使用裝置輸入電源AC交流電源電壓緊密相關。根據使用目的，請選擇相應的元件。

元器件電壓規格表：

交流電壓(V) ：200V；220V；230V；240V

交流電壓(V) ：350V；380V 415V；440V；575V

功率管*高耐壓(V):600V

功率管*高耐壓(V):1200V；1400V

1.2. 電流規格:
IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，元器件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 120℃以下（通常為**起見，以100℃以下為宜），請使用這時的集電極電流以下為宜。特別是用作高頻開關時，由於開關損耗增大，發熱也加劇，需十分注意。 一般來說，要將集電極電流的*大值控制在直流額定電流以下使用，從經濟角度這是*值得推薦的。
2. 靜電防護對策：
IGBT的VGE的保證值為±20V，在IGBT模塊上加出了超出保證值電壓的場合，由於會導致損壞的危險，因而在柵極-發射極之間不能超出保證值的電壓，這點請注意。
此外，在柵極-發射極間開路時，若在集電極-發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，，由于有電流（i）流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果在集電極-發射集間處于高電壓狀態時，有可能使芯片發熱導致損壞。
在使用裝置的場合，如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時（柵極處于開路狀態），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止這類損壞情況發生，應在柵極一發射極之間跨接一只2K---10K左左的電阻為宜。
由于IGBT模塊為MOS結構，對於靜電就要十分注意。因此，請注意下面幾點：
1. 在使用模塊時，手持分裝件時，請勿觸摸驅動端子部份。
2. 在用導電材料連接驅動端子的模塊時，在配線未布好之前請先不要接上模塊。
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。
4. 當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻（ IMΩ左右）接地進行放電后，再觸摸。
5. 在焊接作業時，焊機與焊槽之間的泄漏容易引起靜電電壓的產生，為了防止靜電的產生， 請先將焊機處于良好的接地狀態。
3. 電流限制值與VGE； Rg的依賴關系：
N系列IGBT模塊，由于內裝有電流限制回路，因此，可限制短路時的集電極電流，使模塊能承受的極限電流值得以提高。這種限制電流值的大小與VGE及Rg值有關，即隨著VGE變小或Rg變大，該值將變小。這時，應特別注意，要將裝置中過電流容限值設定在該模塊限制電流值之下方為**。此外，電流限制電路僅有限制電流的作用，而無自身保護之功能。因此，為了防止模塊在短路時遭到破壞，必須在模塊外部能檢測出短路狀態·一旦有短路情況發生，應立即切斷輸入信號。
4. 保護電路設計 :
IGBT模塊，因過電流，過電壓等異常現象，有可能使其損壞。因此，根據這種異常現象可能出現，旨在保護器件**。保護電路的設計，在使用IGBT模塊時尤為重要。
這類保護電路，需對器件的特性充分了解，設計出與器件特性相匹配的保護電路是非常重要的，有時雖有保護電路，器件仍然被損壞也常發生。（例如，過電流時，切斷時間太長，吸收回路電容容量過小等）
5. 散熱設計:
取決于IGBT模塊所允許的*高結溫（Tj），在該溫度下必須要做散熱設計。為了進行散熱設計，首先要計算出器件產生的損耗，該損耗使結溫升至允許值以下來選擇散熱片。 當散熱設計不充分場合，實際運行在中等水平時，也有可能超過器件允許溫度而導致器件損壞。
6. 并聯問題:
用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯。并聯時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電流過于集中的那個器件將可能被損壞。 為使并聯時電流能平衡，適當改變器件的特性及接線方法。例如：挑選器件的VCE(sat)相同的并聯非常重要。

7. 驅動電路設計:

嚴格地說，能否充分利用器件的性能，關鍵取決於驅動電路的設計。此外，也與保護電路設計密切相關。要使器件處於開通狀態時，驅動電路應為正向偏置，關斷狀態時，應為反向偏置，根據各自的設定條件，可以改變器件的特性。此處由於驅動電路的接線方法不同，器件有可能產生誤動作。
8. 模塊組裝時的注意事項 :
在實際安裝IGBT模塊時，需特別注意如下幾點：
1. 安裝散熱片時，在模塊里面涂以熱復合材料，并充分固定牢。另外冷卻體原件安裝表面的加工方面，要保持粗糙度在10μm以下，平面度在0-100mm以內。
2. 在模塊電極端子部份，接線時請勿加過大的應力。
9. 保管及運輸時的注意事項：
1. 保管
A. 保存半導體原件的場所的濕度，溫度，應保持在常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5－35℃，常濕的規定為45—75％左右。特別是模塊化功率半導體管的場合，在冬天特別干燥的地區，需用加濕機加濕。
B. 盡量遠離產生腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。
C. 在溫度發生急劇變化的場所裝置表面含有結露水的情況出現，應避開這種場所，盡量放在溫度變化小的地方。
D. 保管時，須注意不要在半導體器件上加重荷，特別是在堆放狀態，需注意負荷不能太重，其上也不能加重物。
E. 外部端子，請在未加工的狀態下保管。若有銹蝕，在焊接時會有不佳的情況產生，所以要盡可能地避免這種情況。
F. 裝部件的容器，需選用不帶靜電的容器。
2. 搬運
A. 請不要受下墮沖擊。
B. 用包裝箱運輸大量器件時，請勿擦傷接觸電極面，部件間應填充軟性材料。
10. 其他現場使用時的注意事項 :
1. 使用 FWD而未使用照IGBT時（例如截波電路等），在未使用IGBT的 G-E間，請加上-5V以上的逆向偏置電壓。
2. 在模塊端子處測定驅動電壓是否為符合要求的電壓值。（在驅動電路中使用晶體管時的電壓降變大，這將導致在模塊上加不上所需要的VGE電壓）。
3. 開、關時的浪涌電壓等的測定，請在端子處測定。
4. 盡量遠離有腐蝕性氣體的場所。