由于芯片產能提升難、市場供不應求，再加上芯片制造復雜并且科技含量高，對制造設備、工藝技術等等都有極為苛刻的要求，因此，近來在全球范圍內掀起了一股“芯片荒”。“芯片荒”不僅影響到了手機、PC等行業，就連汽車行業也面臨同樣的困境。

對新能源汽車而言，提到芯片就不得不說一個至關重要的部件——IGBT。今天，小編就和大家聊聊有關IGBT的那些事兒，以及比亞迪在IGBT上取得的重大突破！

什么是IGBT？

IGBT是英文“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，指的是“絕緣柵雙極型晶體管”。采用IGBT進行功率變換能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺和降低碳排放的關鍵技術，在大家熟悉的電動汽車上就有廣泛運用。

IGBT 是一種大功率電子電力器件，主要用于變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，是電子電力裝置的“CPU”。在電動車身上，IGBT 主要控制驅動系統直/交流電轉換，它可以直接決定整車的性能表現。

也就是說，實際上電池包里儲存的是直流電，但是電機使用的卻是交流電，這個時候就需要一個重要的媒介--“逆變器”。逆變器可以將電池放出的直流電轉化成電機所需的交流電，IGBT就是逆變器的重要組成部分，是能源變換與傳輸的核心器件，是核心當中的核心。

IGBT行業現狀如何？

近年來，在**電動化和燃油車”禁售“的大趨勢下，新能源汽車特別是純電動汽車迎來了難???的歷史機遇。然而相比電池產業，IGBT的發展相對滯后，無論是產能還是技術都處于落后的局面，長期依賴外采。

據媒體報道，在很長的時間里，全球IGBT市場始終掌握在英飛凌、三菱、富士等國際巨頭手中，核心技術大多被這些企業掌控，IGBT儼然成為了制約我國新能源汽車發展的*大瓶頸之一。

隨著國內大力發展新能源汽車，以比亞迪為代表的自主汽車開始在IGBT領域頻頻發力，磚利數量和核心技術攻克方面取得了重大突破。中國的新能源汽車產業有了追趕國際**水平的實力和底氣。

以2019年為例，國內新能源汽車IGBT模塊市場中，比亞迪半導體占據18%的市場份額，成為國內IGBT市場份額**大企業。比亞迪已經成長為目前國內優越的實現車規級 IGBT 大規模量產、也是唯壹一家擁有 IGBT 完整產業鏈的車企。

比亞迪的重大突破

2018年12月，比亞迪正式發布全新車規級“IGBT 4.0”技術。相比當前市場主流產品，比亞迪IGBT4.0技術在芯片損耗、模塊溫度循環能力、電流輸出能力等關鍵指標上均是處于優越地位。

在電動車電流輸出能力上，比亞迪IGBT 4.0高出市場主流產品15%，其綜合損耗在同等工況下則降低約20%，溫度循環壽命更是提升10倍以上。搭載比亞迪IGBT4.0后，整車百公里電耗能夠降低0.6kWh，能耗和用車成本大大降低。

其實早在2009年，比亞迪IGBT芯片就通過了中國電器工業協會電子電力分會組織的科技成果鑒定，標志著中國在IGBT芯片技術上實現零的突破。

經過多年的發展，比亞迪半導體已擁有國內優越的功率芯片設計經驗，成熟的晶圓制造工藝、功率模塊生產能力、獨有的測試條件以及應用平臺。比亞迪IGBT芯片不斷迭代，從1.0邁入到4.0時代。

在工藝指標上，比亞迪IGBT4.0有長足進步，例如針對大規模應用1200V車軌級IGBT芯片的晶圓，厚度已減薄到120μm（僅兩根頭發絲直徑）。截止目前，以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。

2020年7月，比亞迪半導體自主研發的SiC功率模塊**應用于比亞迪全新旗艦豪華轎車“漢”車型，是國內首款批量搭載SiC 功率模塊的車型。SiC電控的綜合效率高達97%以上，使整車的動力性、經濟性表現非常出眾。

比亞迪 IGBT 4.0在多項關鍵指標上已經超過了同級主流產品。同時，比亞迪半導體將于今年重磅發布IGBT5.0技術，屆時在芯片損耗、模塊溫度循環能力、電流輸出能力等關鍵指標上將實現新的突破。

隨著高性能碳化硅MOSFET控制模塊的推出，未來比亞迪在SiC領域還有更多的可能性，比亞迪電動車的性能還會邁上更高的臺階！