公司深耕IGBT模塊的研發和銷售，作為國內IGBT行業的領軍企業，不僅具備先進的模塊設計及制造工藝，亦擁有自主研發設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片的能力。
據東吳證券研報分析，公司在IGBT模塊供應商全球市場份額排名中，公司排名第7位，在中國企業中排名第1位，成為世界排名前十中唯壹一家中國企業，市場優勢地位顯著。受益于工業控制及電源、新能源市場的發展，IGBT模塊需求量持續提升，公司憑借自主研發優勢積極拓展應用市場和客戶，持續提升IGBT產品市場份額，推動業績實現高速增長。
一、深耕IGBT領域，市場優越地位顯著
IGBT模塊的核心是IGBT芯片和快恢復二極管芯片，公司作為國內IGBT行業的領軍企業，不僅具備先進的模塊設計及制造工藝，亦擁有自主研發設計國際主流IGBT和快恢復二極管芯片的能力，**實現了IGBT和快恢復二極管芯片及模塊的國產化，自主研發設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片也構筑了公司在IGBT市場突出的產品競爭力。
專注IGBT主業，市場優越地位顯著。自2005年成立以來，公司一直致力于IGBT芯片和快恢復二極管芯片的設計和工藝及IGBT模塊的設計、制造和測試，根據公司披露，2019年公司在全球IGBT模塊市場排名第七（并列），在中國企業中排名第1位，市場占有率2.5%，是唯壹進入前十的中國企業，市場優勢地位顯著。
2020年，公司營業收入9.63億元，同比增長23.55%，歸母凈利潤1.81億元，同比增長33.56%。
2020年，公司毛利率為31.56%，同比增長0.95個百分點，凈利率為18.80%，同比增長1.38個百分點，盈利能力持續提升。
二、替代空間廣闊，IGBT國產化加速推進
面對工業控制、電源、變頻家電、新能源發電、新能源汽車等下游應用對更高性能IGBT產品的需求，IGBT技術**不斷，朝著微型化、高功率等方向不斷突破，技術更新的內生驅動力不斷釋放IGBT的應用潛力、拓展相關應用場景，帶動了IGBT等功率半導體市場的快速發展。
在英飛凌、富士電機、ABB等廠商的推動下，IGBT的結構設計仍在不斷突破和**，并涌現出了P-ringTS+Trench、超級結和SiCIGBT等全新技術，推動IGBT應用和市場的持續發展。
同時，IGBT的制造工藝也在持續革新，IGBT產品的差異化和性能的提升有賴于摻雜、擴散和薄片加工等多種工藝的應用，相關工藝的技術壁壘較高，制造技術也成為實現IGBT自主**的關鍵。
目前，國內IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機等海外廠商占據。根據中國產業信息網的數據，2019年，英飛凌、三菱電機、富士電機、ABB、飛兆等海外廠商在中國IGBT市場的份額合計達48.7%，同時，從400V及以下的常規IGBT市場到4500V以上的優異IGBT市場，海外廠商的IGBT產品的市場優勢地位均十分明顯。
目前，IGBT國產化已成為國家關鍵半導體器件的發展重點之一，IGBT也被列為國家“02專項”的重點扶持項目，相關產業進入高速發展階段。同時，廣闊的IGBT市場中也涌現出一批包括中車時代電氣（3898.HK）、比亞迪（比亞迪股份，1211.HK）、斯達半導等在內的掌握IGBT核心技術的企業，在產業政策和市場需求的驅動下，IGBT國產化進程加速啟動。
三、IGBT布局完善，充分受益國產替代
2020年，公司基于第六代TrenchFieldStop技術的1200VIGBT芯片在12寸產線上開發成功并開始批量生產；公司車規級SGTMOSFET研發成功，2021年有望開始批量供貨；公司繼續布局寬禁帶功率半導體器件，在新能源汽車行業控制器、光伏行業推出的各類SiC模塊得到進一步的推廣應用，公司應用于新能源汽車的車規級SiC模塊獲得國內外多家杰出車企和Tier1客戶的項目定點，有望對公司未來車規級SiC模塊銷售增長提供持續推動力；此外，公司IPM模塊在國內白色家電、工業變頻器、伺服控制器等行業繼續開拓，市場份額持續提高。
在新能源汽車領域，公司已成功躋身于國內汽車級IGBT模塊的主要供應商之列，與國際企業同臺競爭，市場份額不斷擴大。2020年，公司基于第六代TrenchFieldStop技術的650V/750VIGBT芯片及配套的快恢復二極管芯片在新能源汽車行業使用比率持續提升；公司生產的汽車級IGBT模塊合計配套超過20萬輛新能源汽車；同時，公司在車用空調，充電樁，電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。
IGBT芯片設計和模塊封裝技術不斷突破，自主**推進國產替代，產品競爭力突出。目前，國內IGBT芯片和快恢復二極管芯片主要依賴進口，國內可以自主研發IGBT芯片和快恢復二極管芯片的公司較少。公司在IGBT領域堅持自主**，掌握了IGBT芯片場終止設計、IGBT芯片高壓終端環設計、超薄片工藝等核心技術，目前已申請99項磚利，其中包括28項發明磚利。未來，公司將持續加大在下一代IGBT芯片、車規級SiC芯片以及3300V-6500V高壓IGBT的研發力度，夯實技術和產品的競爭優勢。（東吳證券）