IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種復合了功率場效應管和電力晶體管的優點而產生的一種新型復合器件,它同時具有MOSFET的高速開關及電壓驅動特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實現較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的優點，又具有通態電壓低、耐壓高和承受電流大的優點。

近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來越廣泛的應用。那么IGBT的測試就變的尤為重要了，IGBT的測試包括靜態參數測試、動態參數測試、短路測試、熱阻測試等，這些測試中*基本的測試就數靜態參數測試，只有保證IGBT的靜態參數沒有問題的情況下，才進行像動態參數（開關時間、開關損耗、續流二極管的反向恢復）、短路、熱阻方面進行測試，在這里先介紹下IGBT的靜態參數測試，要進行IGBT靜態參數測試，首先就要了解IGBT有哪些靜態參數？

IGBT靜態參數有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。

1、BVCES：在柵極 G 和發射極 E 短路時，在加一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的擊穿電壓。

2、ICES:在柵極 G 和發射極 E 短路時，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的漏電流。

3、IGES:在集電極 C 和發射極 E 短路時，在加一定的 VGE 下，IGBT 的柵極 G 和發射極 E 之間的漏電流。

4、VGE(TH):在一定的 IC 下，IGBT 的開啟電壓。

5、VCE(SAT):在柵極 G 和發射極之間加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發射極 E 之間的飽和壓降。

6、VF:在一定的 IE 下，續流二極管的電壓降。

要判斷一個IGBT器件的好壞，就需要對以上這些參數進行測試，測試結果就要和IGBT生產廠家出的IGBT的規格書中的電氣特性這一欄里邊的范圍進行比較，在范圍之內就合格，否則不合格。

那怎么才能測出IGBT這些參數的結果呢？這就需要根據器件的datasheet中的電氣特性中所給出的測試條件，用一些電壓源、電流源來滿足這些測試條件，并把這些條件加到IGBT的端子上，然后用電壓表、電流表來測出值來。這種測試方法有一個弊端就是效率低，測一個參數，就要手動去接一次線，測六個參數就要接六次線，測試一個IGBT器件就要做這么多的工作，所以這種方法費時、費力，不推薦用這種方法。

測試IGBT還是要用專業的測試設備，這里推薦一種IGBT專用的測試設備，就是易恩電氣生產的EN-3020C IGBT靜態參數測試系統，系統標準功率源為3500V/1500A（可升級到6000V，4500A）?？梢詼yIGBT模塊，半橋模塊，全橋模塊，雙單元模塊，四單元模塊，六單元模塊，七單元模塊。適合各大研究院所做元器件檢驗，元件進廠檢測篩選以及在線開發器件做生產測試。系統可擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力和增加測試品種范圍。自動快速測試可以滿足用戶大生產需要，故障率低也保證了用戶的生產效率。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程，操作人員不需具備專業計算機編程語言知識，使用簡捷方便。