英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。得益于其出色的品質，EDT2 IGBT符合并超越了車規級半導體分立器件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性。該 IGBT采用汽車級微溝槽場中止單元設計，所用技術已成功應用于EasyPACK? 2B EDT2和HybridPACK?等多款逆變器模塊。

英飛凌推出全新EDT2IGBT，采用TO247PLUS封裝
為了滿足目標應用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利于進行系統設計。同時，EDT2技術專門針對牽引逆變器進行了優化，擊穿電壓為750 V，可支持高達470 VDC的電池電壓，并顯著降低開關和導通損耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號均具有極低的正向電壓，相比上一代產品，導通損耗降低了13%。其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在采用TO247Plus封裝的分立式IGBT產品中堪稱出類拔萃。因此，僅需少量的并聯器件，便可實現既定的目標功率等級，同時還可提高功率密度，降低系統成本。

此外，EDT2 IGBT的參數分布非常緊湊。集電極-發射極飽和電壓（Vce(sat)）的典型值與*大值之間相差不足200 mV，柵極閾值電壓（VGEth）也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度系數。總之，這些特性有助于輕松實現并聯運行，從而提高*終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外，這款IGBT器件還擁有平穩的開關特性、低柵極電荷（QG）和175°C的*高結溫溫度（Tvjop）等優點。

供貨情況

英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號，現已開始供貨。