可控硅模塊從大體的輪廓來看，主要有三種類型的螺旋，平底和平面型。螺旋型應用多些。
       三個電極，陽極A、陰極C，和控制極G的可控硅。它有一個管芯，它是由四層磷和氮的類型的導體，共有三個光。。
       可以看出，只有一個極端的硅和硅整流二極管是完全不同的結構。可控硅的四層結構與控制是其優異的控制性能的基礎。在可控硅的應用中，只要控制一個非常小的電流或電壓，就可以控制大量的陽極電流或電壓。目前，它已經能夠產生一個電流容量為上千安培的可控硅元件。一般5安培以下可控硅稱為小功率可控硅，50以上的可控硅稱為高功率可控硅。
      可控硅為什么是可控的？我們來簡單地分析硅可控硅的工作原理。
      首先，我們可以看到從陰極的**個數字，**層和地面第三層是NPN型三極管，三，兩層或四層，另一個PNP型晶體管。第三、雙層是雙重疊的普通管。這可以從等效電路圖中得到。當陽極和陰極之間的正向電壓增加，EA將產生一個正的觸發信號（BG1）G和陰極BG1之間，C將產生基極電流Ib1，放大，并將在BG1集電極電流IC1增長1倍。由于BG1集電極連接到BG2的基，BG2的基極電流IB2 IC1。BG2和IC2的比例（1）的集電極電流IB2 2 BG1回到放大。如此循環放大到BG2，BG1是完整的。在實踐中，該過程是“約”和可控硅觸發信號被添加到控制電極，并立即進行硅控制。傳導時間主要取決于硅控硅的性能。
     在早期，反饋回路的電流放大器BG1，但目前BG1，BG2（β2 x 1）比1大得多，這足以使BG1連續導通。在這一點上，甚至消失的觸發信號，可控硅仍然保持在電源EA或EA的條件，使BG2的集電極電流，BG1小于*小值的*小值，SCR可以關閉。當然，如果在反極性的EA，BG1，BG2將在關閉狀態，因為反向電壓。此時，即使輸入的觸發信號，硅不能工作。反過來，電針被連接到正的，而觸發信號是負的，不能控制的硅。此外，如果信號不觸發，而正向電壓的陽極超過一定值，可控硅將導致不是正常工作了。