下面我們討論IGBT模塊溫度是影響電子器件工作可靠性的主要因素

       研究表明,器件的失效率與其結溫成指數關系,性能則隨結溫升高而降低。與此同時,由于半導體器件及其安裝基板具有不同的熱膨脹系數,上述相關材料受熱作用將在結合處產生熱應力,導致芯片損壞或不能使用等嚴重后果。功率模塊在IGBT功率模塊散熱，當前的闡述熱點之一是在模塊設計階段直接冷卻技術，散熱片上的銅基板集成功率模塊。這種結構使得IGBT模塊不再需要連接到模塊銅基板與支撐板的導熱界面材料，使該模塊的總熱阻大大降低。對直接冷卻IGBT功率模塊的仿真測試，自主研發的組合進行了比較傳統的間接冷卻模塊的熱性能研究。

     *后總結結果表明，直接冷卻模塊的熱電阻的*大減少為30%，和溫度場分布更均勻。仿真結果與理論明結果一致，證了仿真模型的準確性。