1）反向特性
西門康可控硅模塊控制是非常開放的，正、反向電壓,J2結(jié)是積極的，但J1，J2和反面。在這一點(diǎn)上只有很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高，J1結(jié)的雪崩擊穿電壓，然后J3結(jié)也擊穿，對(duì)彎開始特征電流急劇增加，如特征或部分的電壓稱為反向，尿轉(zhuǎn)折點(diǎn)的彎曲”。在這一點(diǎn)上，可控硅將發(fā)生**反向擊穿。

2）正向特性
當(dāng)閘門打開，陽極加上正向電壓，J1，J2 J3結(jié)是偏頗的，但結(jié)反向偏置，可控硅模塊與普通PN結(jié)的反向特性類似，只有通過小電流。這就是所謂的正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加彎曲的特點(diǎn)，在OA的特點(diǎn)表明，彎曲稱為正向轉(zhuǎn)折電壓UBO.

3、觸發(fā)導(dǎo)通
當(dāng)正電壓加到控制極P2，J3在N2區(qū)，在IGT區(qū)N2區(qū)的電子在P2區(qū)，這是對(duì)可控硅硅的正反饋效應(yīng)的基礎(chǔ)上，由G.形成，增加IGT的影響，這導(dǎo)致提前SCR的鉛，導(dǎo)致OA的伏安特性轉(zhuǎn)移到該段的左IGT的更大，更快速的左特征。西門康可控硅模塊由于高電壓上升到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓，雪崩倍增效應(yīng)發(fā)生在J2結(jié)，導(dǎo)致大量在結(jié)區(qū)的電子和空穴，當(dāng)電子進(jìn)入N1區(qū)，與孔進(jìn)入P2區(qū)。在電子和J1結(jié)為N1區(qū)通過P1連接孔復(fù)合N1區(qū)，成孔的P2區(qū)和N2連接到P2區(qū)通過J3結(jié)電子復(fù)合，雪崩擊穿，為電子的N1區(qū)和成孔的P2區(qū)不能將所有的材料，所以在孔積累區(qū)的N1，P2區(qū)的結(jié)果，潛在的N1區(qū)縮小，J2結(jié)變得積極，只要電流略有增加，所謂的負(fù)阻特性.