IGBT功率模塊作為一個概念被引入世界的先驅。該裝置是一種晶閘管結構（內分四層），其特點是形成V形槽柵堿濕法刻蝕工藝。顯示了一個氮通道增強的絕緣柵雙極晶體管結構的結構，稱為氮源區，這是連接到源區的電極。被稱為漏極區域。該設備的控制區是一個柵極區域，它被連接到稱為柵極的電極上。信道是在網格的邊界上形成的。P型（P + P），這是在流失，形成了該區源，稱為區域的子信道。在漏區另一邊的P +區域稱為噴油器漏，這是一個獨特的IGBT功率模塊的功能區，與漏區和亞溝道區形成一個PNP雙極型晶體管。連接到漏極區域的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過對PNP晶體管增加一個柵極電壓提供基極電流的形成，使IGBT導通。相反，添加反向柵極電壓消除通道，切斷基極電流，使IGBT的關。

         IGBT和MOSFET的驅動方法基本上是相同的，只需要控制一個通道MOSFET的輸入，它具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成，孔（少子）從P +基地注入N層，和N層由一層N調制，從而降低了一層IGBT功率模塊的阻力，也有在高電壓低電壓狀態。