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igbt功率模塊使用注意事項
     由于IGBT模塊模塊IGBT柵極MOSFET結構，由一層氧化膜和發射極電隔離。因為薄的氧化膜的擊穿電壓，一般是20 ~ 30V。所以柵極擊穿是IGBT功率模塊故障由于靜電的常見原因。所以用以下幾點來關注：
     在使用igbt功率模塊時，盡量不采用手觸摸驅動端子部分，當必須接觸端子模塊時，靜電對人體及衣物具有高電阻接地放電，再次接觸；用導電材料連接模塊驅動端子。接線前請先不接模塊，盡可能在地板上有良好的接地。在應用中，柵極驅動電壓不能保證超過*大額定電壓，但柵極線的寄生電感和柵極和集電極之間的耦合也產生，和氧化物層的電壓可以被損壞。為此，一個扭曲的對通常是用來傳輸的驅動信號，以減少寄生電感。串聯電阻也可以抑制在電網連接。
      此外，當柵極在集電極和發射極之間開路時，集電極和發射極之間的電壓被改變。在這個時候，如果有集電極和發射極之間的高電壓，有可能使IGBT功率模塊發熱和損傷。
      在IGBT功率模塊的使用，當閘門電路不正常或損壞的門電路，如果主電路和IGBT功率模塊的電壓，然后將被破壞，為了防止此類故障，應在柵極和發射極之間串聯一個10K。
     在安裝或更換IGBT模塊，IGBT模塊應附偉大的重視接觸表面狀態和緊度。為了降低接觸電阻，*好應用導熱硅脂的散熱器和IGBT模塊。一般來說，散熱片的底部設有冷卻風扇，當散熱風扇損壞，就會造成IGBT模塊的熱，和發生故障。因此，冷卻風機應定期檢查，在散熱器靠近IGBT模塊安裝一個溫度傳感器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊的工作。