這個問題igbt功率模塊驅動電路設計是MOSFET的驅動設計，設計中應注意以下幾點：1.igbt功率模塊的柵極電壓一般為20V，所以驅動電路的輸出的柵極電壓保護，通常的做法是在并聯穩壓二極管或電阻柵。前者的缺點是增加等效輸入電容CIN，從而影響開關速度，后者是降低輸入阻抗，增大驅動電流，使用時應根據需要選擇。2.雖然所需的驅動igbt功率模塊的功率很小，但由于CIN輸入電容的MOSFET開關過程的存在，要求電容器的充電和放電，因此驅動電路的輸出電流應足夠大，設計者往往忽略這一點。如果打開驅動器，在TR的輸入電容的MOSFET的線性電荷的上升時間，然后驅動電流IGT = cinugs / TR，可TR = 2。R，為輸入回路電阻2rcin。3.igbt功率模塊的可靠閉合，防止持有現象，加負偏壓的柵極，所以*好使用雙電源供電。

       igbt功率模塊的離散成分較為復雜，可靠性和性能都比較復雜，大部分的集成電路在實際應用中。富士公司在日本EXB系列集成電路，法國湯姆森公司的ua4002集成電路，等。

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