西門子IGBT功率模塊它是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場效應管），具有高輸入阻抗和低壓力降MOSFET GTR的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動器是非常小的，和開關速度很快，但壓降大，載流密度小。
西門子IGBT功率模塊結合兩種器件的優點，驅動功率小，降低飽和電壓。非常適合直流電壓600V以上的應用變流量系統如交流電機，變頻器，開關電源，照明電路，牽引傳動等領域。
目前，高質量的西門子IGBT功率模塊的不足，幾乎全部依賴進口。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一個*年輕的高壓開關系列。由一個15V的高阻抗電壓源，可以方便的實現較低的控制權來控制大電流的控制。
西門子IGBT功率模塊用戶友好版本的作用：
西門子IGBT功率模塊為開關，非即破，如何控制他或破碎，依靠的是柵源電壓，當柵源+12V（大于6V，12V至15V時一般采?。㊣GBT導通，柵源電壓不添加或負壓，

西門子IGBT功率模塊關斷，加負壓是一個可靠的關閉。
西門子IGBT功率模塊沒有放大電壓的功能，可以作為引導，當開路。
西門子IGBT功率模塊具有三個端子，分別，G，D，S，S和G在兩端的電壓，內部的電子轉移（半導體材料的特性，這就是為什么電力電子開關的半導體材料的使用），它是正離子和負離子一一，半導體材料是中性的，但之后增加電壓，所積累的一副作用下的電子，形成一層導電溝道，因為電子可以導電，為導體。如果電壓在GS的兩端去掉，這層導電溝道消失，不會導電，為絕緣體。
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