整流二極管模塊：一種可以由交流電轉換成直流電源的半導體器件。
        它通常包含一個與陽極和陰極兩端的一個。在磷地區的載流子是空穴，在氮區域的載流子是電子。與P區到N區的正電壓的增加，它能通過大電流、低電壓（0.7V），稱為正向導通狀態。如果反向電壓增加，反向電流是小的（反向漏電流），稱為反向阻塞狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。
        整流二極管模塊可用于半導體鍺或硅等材料。
整流二極管模塊的高溫性能很小，反向漏電流很小，高溫性能良好。高純硅制造中使用了通常的高電壓大功率整流二極管模塊（摻雜更容易發生反向擊穿）。該器件的結面積較大，可達到高電流（高達一千的**），但在一般千赫的工作頻率不高。
整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需要實現全波整流需要連接到橋上。

igbt功率模塊，電源模塊，可控硅模塊，ipm功率模塊，gtr達林頓模塊，整流橋模塊，整流二極管模塊，電源電壓傳感器，富士IGBT功率模塊，東芝IGBT功率模塊，三社IGBT功率模塊，英飛凌IGBT功率模塊，西門子IGBT功率模塊，三菱IGBT功率模塊，EUPEC優派克IGBT功率模塊，日立IGBT功率模塊，LAMBDA電源模塊，三菱IPM功率模塊，富士IPM功率模塊，東芝IPM功率模塊，三菱GTR達林頓模塊，富士GTR達林頓模塊，西門康可控硅模塊，IXYS可控硅模塊，富士整流橋模塊，三社整流橋模塊，ABBIGBT功率模塊，VICOR電源模塊，三菱整流二極管模塊，富士整流二極管模塊，進口電流傳感器，進口電壓傳感器