IGBT（Insulated Gate BIPOlar Transistor）功率模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；
《2016年中國IGBT功率模塊行業發展調研與市場前景分析報告》以嚴謹的內容、翔實的分析、權威的數據、直觀的圖表等，幫助IGBT功率模塊行業企業準確把握行業發展動向、正確制定企業競爭戰略和投資策略。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電 機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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