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IGBT功率模塊原理及內部原理圖
   IGBT功率模塊是一種新型的電力電子裝置，它是用來克服一些缺點的功率開關器件（MOS），晶體管的功率晶體管。
我們知道，在中高頻功率電子應用中，功率管或功率場效應管通常用于開關大電流，但是，這2種功率器件在使用中存在一定的缺陷。
首先，功率場效應晶體管（功率MOS），假設開關電流為20A，場效應晶體管的導通電阻為0.1歐姆。所以，場效應管會產生40瓦的功率消耗。這是偉大的。但是，場效應管有它的優勢，是控制（驅動器），場效應管是電壓驅動裝置，驅動，只要門（晶體管的基極）加上一定的電壓（無需提供電流，不需要任何動力）可以驅動MOS管，這是它的優點。
    IGBT功率模塊假設相同的開關電流20A，而晶體管的導通飽和壓降0.3伏，然后，晶體管將有6瓦的功耗，功耗小，這是它的優點，然而，晶體管是電流驅動的器件，為了打開這20A電流，需要提供一個足夠大的驅動電流，尤其是不容易控制的，，需要的驅動電流更大，這是它的缺點。
     現在IGBT功率模塊。它具有場效應晶體管的特性，功率晶體管和功率晶體管的功率輸出具有晶體管的特性，可以被理解為具有場效應管驅動特性的功率晶體管，或具有晶體管特性的功率場效應晶體管。事實上，IGBT功率模塊和功率MOS管的生產工藝集中在一個裝置，它有一個簡單的控制（電壓驅動的，不需要驅動電流），功耗較低。