單方向可控硅的性能可以在四個方面進行檢測。首先是三個光合路口應處于良好狀態；二是當之間的陰極和陽極電壓反向連接能夠阻斷和非傳導；第三是當門是開放的，在陽極和陰極之間的電壓正連接是不進行；第四是控制和正向電流和陽極和正向電壓，可控硅的控制的漏電流，仍處于導電狀態。用電表來測量電阻的硅可控硅，可以是前三個方面的好還是壞的判斷。具體方法是：用R×1K或R×10K擋測量陽極和陰極之間的積極和消極的抵抗（控制極接電壓），兩電阻應很大。電阻值越大，反向漏電流越小。如果測得的電阻值很低，或接近無窮大，可控硅有擊穿和短路或開路，可控硅不使用。用R×1K或R×10K擋測量陽極和控制極反向電阻測量應幾百千歐以上之間的電阻，如果電阻值？# 8221；水稻骨骺球迷于凳人屈內襯II？/字體> R×1K或R×100檔，測量和控制非常積極和消極抵抗的陰極之間的PN結和千歐姆，如正向電阻接近零或無窮大，表明控制電極和陰極之間的PN結已經損壞。反向電阻應該是大的，但不是無限的。正常情況下是顯著大于正電阻的反向電阻。選擇萬用表電阻R×1擋，黑表筆接陽極，紅表筆接陰極，儀表指針不動。

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