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IGBT功率模塊動態特性
        IGBT功率模塊在開口的過程中，大部分時間是盡可能的MOSFET運行，只是在漏源電壓UDS下降以，PNP晶體管的后期通過擴增區飽和，和增加延遲。 TD（上），用于在延時開口，三對電流上升時間。實際應用中經常給出的漏電流開通時間ton是TD（上）三，漏電壓源的下降時間由tfe1 tfe2的。 
        IGBT功率模塊的觸發和關閉請求到柵和基具有正電壓和負電壓，柵極電壓可以由不同的驅動電路之間就產生了。當驅動電路必須基于以下參數：設備關閉偏壓，柵極電荷，高堅固性和功率。由于IGBT柵極 - 發射極阻抗大，所以它可以觸發使用MOSFET驅動技術，但由于IGBT比MOSFET的高輸入電容，使         IGBT功率模塊關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供偏置較高。 
        IGBT功率模塊在關斷過程中，漏電流波形一分為二。由于MOSFET關閉后，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏電流長尾時間，TD（關閉）關閉延遲時間后，TRV電壓UDS（F）的上升時間。實際應用中經常給出的漏極電流的泄漏被T（F1）和t（F2）的曲線圖下降時間（TF）是由兩部分組成，漏電流關斷時間 
T（關閉）= TD（關閉）+ TRV10噸（F）（）（） 
式：TD（關閉）和TRV和也被稱為存儲時間。 IGBT的開關速度比MOSFET的低，但它比GTR顯著高。 IGBT關斷不需要門負壓，減少停機時間，但關機時間與柵極和發射極并聯電阻增大。導通IGBT的電壓約為3?4V，這相當于MOSFET。當IGBT的飽和電壓比MOSFET和GTR的下部和接近飽和電壓降低與柵極電壓的增加。 
       正式商用IGBT功率模塊的電壓和電流的能力有限，遠遠不能滿足電力電子技術應用發展的需要;對于許多應用高壓區，設備10kV以上電壓等級。目前，只能通過高壓IGBT功率模塊系列技術來實現高電壓應用。國外的一些廠商如通過制定原則8KV IGBT器件的軟穿由ABB，瑞士，德國EUPEC生產6500V / 600A高電壓和大功率IGBT功率模塊已獲得實際應用，東芝，日本也已經涉足的領域。與此同時，各大半導體廠商不斷開發IGBT的高電壓，大電流，高速，低飽和壓降，高可靠性，低成本的技術，主要由小于1微米的生產工藝，開發了一些新的進展已經取得進展。 2013年9月12號我們自主研發的高電壓和高功率3300V / 50A IGBT的發展（絕緣柵雙極型晶體管）芯片，因此芯片封裝的高功率1200A / 3300V IGBT模塊由專家，因為中國擁有完全自主的IGBT的功率模塊