整流橋模塊就是將整流管封在一個殼內了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路。
整流橋模塊的結構特點 :
1、鋁基導熱底板:其作用為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯結支撐和導熱通道,并作為整個模塊的結構基礎。因此,它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要和DBC基板進行高溫焊接,又因它們之間**性膨脹系數鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。
2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片和銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優良的導熱性、絕緣性和易焊性,并有和硅材料較接近的**性膨脹系數(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以和硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時,DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。
3、電力半導體芯片:超快恢復二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結是玻璃鈍化保護,并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環氧樹脂,這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現的。根據三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點,FRED芯片采用三片是正燒 和三片是反燒 ,并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡化。同時,所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。
4、外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決和銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題,通過環氧樹脂的澆注固化工藝或環氧板的間隔,實現上下殼體的結構連接,以達到較高的防護強度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。