可控硅模塊的性能差異的表現：旋鈕R x 1，1 ~ 6A單向可控硅，紅筆K極，黑筆在同一時間，G極，在保持黑筆不出G極的狀態時，指針應向歐洲一百，此時SCR被觸發，且觸發電壓低（小）。然后斷開一個瞬時，該指針應返回該位置，為良好的可控硅模塊。1 ~ 6A雙向可控硅，紅筆和T1極，黑筆在同一時間，T2，T2極，在保證黑筆不出G極的前提下，指針應指向幾十到一百以上（根據目前的硅，大小廠家不同）。然后兩個交換，重復測量上述步驟，指針也比上一個稍大的十幾至幾十歐，則表明良好的可控硅觸發電壓（或電流）。如果要連接到一個極點或電極T2 TB開G極，指針立即退回∞位置，電流太大或損壞，觸發可控硅模塊。可在可控硅模塊的性能進一步測量，對于一個單一的可控硅方向，關閉開關，光要亮，斷開的燈仍不亮，否則會顯示晶閘管損壞。
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