IGBT模塊是先進的第三代功率模塊，1-20khz的工作頻率，在逆變主電路逆變器和逆變器電路，主要應(yīng)用的是，直流/交流變換。電動汽車、伺服控制器、電源、電源、電源、小車等。發(fā)表到目前為止，超過10年的歷史，幾乎取代了其他所有的功率器件，例SCR，GTO，GTR，MOSFET和雙極達林頓，等，目前的功率可達1mW的低頻應(yīng)用，單元的電壓達到4.0kV（PT）結(jié)構(gòu)采用（NPT），電流為1.5kA電流，是理想的電源模塊。
原因是第三代IGBT模塊，它是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，速度快，工作頻率高，元件容量大等。在本質(zhì)上，它是一個復(fù)合功率器件，集成優(yōu)勢的雙極型功率晶體管和功率MOSFET。由于先進的加工技術(shù)，使它通過一個低飽和電壓狀態(tài)，開關(guān)頻率高達20kHz），這兩個非常顯著的特點*近西門子推出低飽和壓降（2.2V）NPT IGBT模塊的性能更好，擁有東芝，富士通，IR，摩托羅拉在新品種的開發(fā)發(fā)展。
IGBT模塊的發(fā)展趨勢是高電壓，高電流，高速度，低阻力，高科考，為目標成本低，尤其是高壓變頻器的開發(fā)應(yīng)用，簡化其主電路，降低設(shè)備的使用，提高可靠性，降低制造成本，簡化了調(diào)試工作，等等，都與IGBT模塊有著密切的聯(lián)系，所以世界各大設(shè)備公司都在努力研究，開發(fā)，評估近2-3年的進展，將有突破。
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